半導体用製品概要 等方性黒鉛 押出成形黒鉛 モールド成形黒鉛
  SiCコートカーボン ソリッドSiC C/Cコンポジット グラッシーカーボン
半導体用製品概要
CZ用等方性高純度黒鉛


Si単結晶引上げ用ヒーター、ルツボ
シリコン単結晶の引上げ装置(CZ法)には、高純度の黒鉛が使用されます。大型で良質のシリコン単結晶の製造の為に当社は、CIP材(ラバープレス法)による大型等方性の超高純度黒鉛を製造し、高集積度半導体の生産に対応しております。
製品の特徴
高純度…有害元素がきわめて少なく、高集積化に対応できます。
高密度…高密度かつ微粒子構造によって、シリコンガスとの反応を小さくして、ロングライフが得られます。
全サイズに対応…シリコン単結晶の直径に合わせ、各種サイズの製品を提供できます。
マーケットイン…貴社のご仕様に合わせ設計いたします。
半導体用治具
トランジスター、水晶振動子などの電子部品の封着用治具として広く使用されています。これらの治具はきわめて高精度の加工技術を必要としますが、当社は豊富な経験と精密な加工技術により、高度の製品を製作しております。
ウエハープロセッシング用部品


ウエハープロセッシング用部品
黒鉛は低原子番号材として、イオン、プラズマに対する抵抗力が強く、また高純度化により有害元素を発生しない特徴をもっており、過酷な条件下で使用できる材料として着目されています.
プラズマCVD用部品
プラズマVCD用サセプター、電極チャンバー、ノズル、ライニング、イオンビーム用ルツボ、スパッタリング用電極、MOVCDサセプターなど。
SiCコートカーボン


新しい機能を求めて
黒鉛の欠点と言われている気孔、粒子などの問題を克服して新しい機能を展開しました。
コーティング材は黒鉛の長所と皮膜特性を兼ね備えた新機能材料です。
基材からコーティングまでの一貫生産体制要求品質の100%達成を目指して、最良の特性を引き出すべく、基材の粒子、気孔、熱膨張特性と被膜特性をコントロールしたのが当社の製品です。
すぐれたマーケットイン
基材、コーティング、加工の一貫生産体制を基盤として、貴社のご仕様に合わせ設計いたします。
製品
CZ用部品、各種サセプター部品、SiCコーティングサービス
製品特徴
急速局部加熱に強い
物理的衝撃に優れる
耐薬品性に優れる
超高純度
微細加工形状にも均一にコーティングが可能
酸化雰囲気でも使用できる
用途
エピタキシャル用サセプター
CVD用サセプター
ヒーター
単結晶引上げ用部品、他
当社では、CVD法SiCコートカーボンに加え、独自技術によるCVI法SiCコートカーボンの2グレートを取り揃え、様々なご要望にお答えしております。
製品特徴
急速局部加熱に強い
物理的衝撃に優れる
耐薬性に優れる
微細加工形状にも均一にコーティングが可能
酸化雰囲気でも使用できる
用途
エピタキシャル用サセプター
CVC用サセプター
ヒーター
単結晶引き上げ用部品、他
ソリッドSiC
ソリッドSiCとは、当社が独自の製法で工業化に成功した、CVD法で製作した超高純度SiCです。半導体装置部品に最も適した材料として期待されています。
特徴
超高純度
耐薬品性に優れる
金属の拡散が圧倒的に少ない
脱ガスフリーである
理論密度である(β型SiC)
用途
ウェハーキャリア
サセプター
ダミーウェハー
ガイドリング
エッチャー部材、他
C/Cコンポジット
“TOKAREC” C/Cコンポジットは、優れた強度特性を持つ炭素繊維と炭素マトリックスからなる高温下で強度低下のない理想的な耐熱複合材です。
特徴
比強度、比弾性率が高い(軽く強い)
耐熱性、熱衝撃性に優れる
熱膨張が小さい(寸法安定性が高い)
熱伝導が小さい(耐熱鋼の1/3)
不純物が少ない(純度が高い)
用途
半導体引き上げ用部品
高温炉耐熱構造材
ヒーター材、他
金属に比べ軽量で高温での強度低下がない
グラッシーカーボン
グラッシーカーボンは、当社が独自の技術で世界で初めて開発した黒色ガラス状の不透過性炭素製品で、軽い、熱衝撃に強い、高熱に耐える、化学薬品に強い、機械的強度が大きいなど一般炭素製品にはない性質を持っております。
現在、半導体用途(エッチング用電極、洗浄用治具etc)、医療用治具、ガラス溶融用途で使用されております
特徴
軽い
耐薬品性に優れる
気体不透過である
高純度
パーティクルが少ない
脱ガスフリーである
用途
基板ホルダー
遮熱板
サセプター
ガイドリング
エッチャー用電極
ルツボ、保護管、他
グラッシーカーボンの寸法と形状

その他
長さ及び高さは任意希望の寸法に調整可能です。
大きさ□500mm、厚み9mmまでのサイズで対応が可能です。
御要望の円筒等特殊形状への加工もご相談を承ります。
等方性黒鉛
押出成形黒鉛
モールド成形黒鉛