| 半导体用途产品概要 |
| CZ用等静压高纯度石墨 |
Si单结晶体拉晶用加热器、坩埚 |
硅单结晶体的拉晶机（CZ法）需要使用高纯度的石墨。为了制造大型、优质的硅单结晶体，东海
采用CIP材料（冷等静压法）制造大型各向同性高纯度石墨，可满足大规模集成半导体生产的需要。
产品特点
高纯度…有害元素极少，适合大规模集成使用。
高密度…高密度且微粒子构造可确保与硅气体反应小，可以获得长使用寿命。
尺寸齐备…可根据硅单结晶体的直径提供各种尺寸的产品。
多用性…根据客户的规格要求进行设计。 |
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| 半导体用夹具 |
作为晶体管、石英振子等电子部件封装用夹具被广泛使用。
这些夹具要求具有极高精度的加工技术，东海凭借丰富的经验和精密的加工技术可制作出高精产品。 |
| 晶片处理用部件 |
晶片处理用部件 |
石墨作为低原子序数材料，对离子、等离子具有较强的抵抗力，此外具有高纯度化不会产生有害元素的特长。因其可以在恶劣条件下使用而备受关注。
等离子CVD用部件
等离子VCD用感受器、电极室、喷嘴、内衬、离子束用坩埚、溅射用电极、MOVCD感受器等。 |
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| SiC涂层材料 |
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探索碳素的新功能
碳素的缺点主要是气孔、粒子，为了克服这些问题，东海的SiC涂层材料，是兼具了石墨原有的特长和成膜特性的新型功能材料。
从基材到涂层品的一条龙生产体制以100%达到质量要求为目标，将最佳的特性全部发掘出来，将基材的粒子、气孔、热膨胀特性和成膜特性予以调整，孕育出各种产品。
出色的通用性
以基材、涂层、加工一条龙的生产体制为基础，可根据客户的规格要求进行设计。
产品
CZ用部品、各种感受器部品、SiC涂层品
根据不同的需求，可选择以往的CVD SiC涂层石墨或使用东海特有技术新开发的CVI SiC涂层石墨，可用于各种用途。
产品特性
出色的抗热冲击阻力
出色的抗物理冲击阻力
出色的耐药化学性
超高纯度
可加工成各种复杂的形状
在氧化环境下仍然可以使用 |
用途
外延用感应器
CVC用感应器
各种加热器
拉晶机部件
LED感应器 |
| 石墨基材的代表特性值 |
| 品种 |
表面密度 |
电阻率 |
抗折强度 |
肖氏硬度 |
灰分 |
导热率 |
| |
g/cm3 |
μΩm |
MPa |
|
ppm |
W/mk |
| 石墨基材 |
1.85 |
11 |
49 |
58 |
< 20 |
120 |
*SiC涂层的代表性测量值和杂质测量值清参考固体SiC产品介绍。 |
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| 固体ＳｉＣ |
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固体SiC东海独创技术开发的固体SiC是采用化学气相沉淀工艺（CVD法）生产的超高纯度SiC。是半导体装置部品的最合适选材。
产品特性
超高纯度
出色的耐化学性
较少的金属扩散
无除气性
具有理论密度（β-SiC） |
用途
晶片装载器
感应器
假晶片
导环
刻蚀系统等部件 |
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| C/C炭-炭复合材料 |
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“TOKAREC” C/C炭-炭复合材料，是兼具碳素纤维出色的强度特性和碳素原子矩阵在高温下强度不会降低的双重特性的理想耐高温复合材料。
产品特性
强度重量比大
出色的耐热性和抗热冲击阻力
较小的热膨胀系数
较低的导热率（耐热钢的1/3）
高纯度
与金属相比重量轻，高温下强度不会降低 |
用途
拉晶机部件
高温炉构造部件
加热器等 |
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| 玻璃碳素 |
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东海独创技术开发的玻璃碳素是不透气性的黑色玻璃状碳素产品，具有一般碳素制品不具备的低表观密度、耐高温、耐腐蚀等特性。
广泛应用于半导体用途（等离子刻蚀用气体散流气电极，洗浄用治具等）、医疗用治具、玻璃熔融用途。
产品特性
低表观密度
出色的耐化学性
不透气性
高纯度
颗粒生成少
无除气作用 |
用途
晶片夹
隔热板
感应器
导环
等离子体刻蚀用气体散流器电极
坩埚、保护管等 |
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其他
长度和高度可以调整为任意的希望尺寸。
最大尺寸可提供500*500mm、厚9mm的产品。
如需要加工成圆筒等特殊形状，请与我们联系。 |
| 等静压材 |
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| 挤压材 |
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| 模压材 |
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